전체 글86 반도체 코너 효과(Corner Effect) 이해 코너 효과(Corner Effect)란 반도체 소자의 모서리 부분에서 발생하는 현상을 의미합니다. 반도체 소자는 보통 직사각형이나 원형의 형태를 가지는데, 소자의 모서리는 평면보다 노출 면적이 크기 때문에, 이 부분에서 발생하는 전기적 특성 변화 즉 전기장이 강해지거나 약해지는 현상이 발생합니다. 신호를 전달하는데, 이 때 각 구간에서의 특성이 크게 중요한데 이 과정에서 모서리 부분에서는 전체적인 성능에 영향을 주는 코너 효과가 발생하게 됩니다. 영향 코너 효과는 반도체 소자의 종류나 구조에 따라 다양한 형태로 나타납니다. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)의 경우, 코너 효과로 인해 소자의 임계전압이 감소하거나 채널 길이가 단축되는 .. 2024. 2. 28. 반도체 STI(Shallow Trench Isolation) 공법 반도체는 수많은 트랜지스터들로 구성되어 있습니다. 이러한 트랜지스터들이 각각 독립적으로 동작하려면, 서로 간에 영향을 주지 않도록 분리되어야 합니다. 이런 분리 과정을 '절연'이라고 부르며, STI는 이 절연 과정 중 하나입니다. 트렌치라는 얕은 홈을 파고 그 안에 채움막(절연물질)을 채워 넣는 방식으로 동작합니다. 이 과정을 통해 트랜지스터 간의 전기적인 상호작용을 차단함으로써, 각 트랜지스터가 독립적으로 동작할 수 있게 됩니다. 1차 막(산화막(SiO2) 및 질화막(SiN4)) 형성 Si 웨이퍼 기판에 산화막(SiO2)을 형성하여, 다음에 증착할 질화막(SiN4)과의 계면 특성을 개선합니다. 산화 막은 절연 특성이 좋은 재료이므로, 소자 분리에 적합합니다. 산화막 위에 질화막을 증착합니다. 질화막은 .. 2024. 2. 27. 반도체 LOCOS Isolation의 Bird’s Beak 반도체 Isolation 방법 중 하나인 LOCOS(Local Oxidation of Silicon) 공법에서 발생하는 Bird's Beak에 대해 알아보겠습니다. 반도체 공정에서 트랜지스터들을 전기적으로 분리하기 위해 사용하는 방법 중 하나가 LOCOS (Local Oxidation of Silicon)입니다. LOCOS는 산화막(SiO2)을 이용하여 트랜지스터들의 active 영역을 구분하는 공정입니다. LOCOS의 장점은 산화막(SiO2)이 기판과 잘 결합되어 있어서 절연 특성이 좋고, 공정이 간단하고, 비용이 저렴하며, 반도체의 성능과 효율성을 높일 수 있습니다. LOCOS 공정은 초기의 집적 회로 제조에 있어서 이상적인 선택이었지만, 더욱 미세한 공정이 요구되는 오늘날에는 그 한계점이 드러나고 .. 2024. 2. 26. 반도체 LOCOS Isolation 이해 이번 글에서는 반도체 기술 중 하나인 LOCOS(Isolation of Local Oxidation of Silicon)에 대해 알아보겠습니다. LOCOS는 반도체 소자 간의 전기적 분리를 하기 위해 사용되는 방법 중 하나로 주로 소자 사이에 SiO2를 이용한 산화물 절연 층을 형성하여 서로 다른 소자 간의 상호 간섭을 방지하는 데 사용됩니다. 제조 과정 ① Si 웨이퍼를 세정 후 준비합니다. ② Si 웨이퍼 위에 SiO2 막을 만듭니다. Si 웨이퍼와 SiN4간 스트레스 감소 및 SiN4 제거 시 멈춤 막 역활을 합니다. ③ SiO2 위에 SiN4 막을 만듭니다. SiO2 막 생성 시 SiN4 막 위에는 SiO2 막이 생성되는 않는 성질을 이용하기 위 합니다. ④ 패턴 형성을 합니다. 소자가 만들어 질.. 2024. 2. 25. 이전 1 ··· 9 10 11 12 13 14 15 ··· 22 다음
