전체 글86 반도체 노이즈 쉴드링(Shielding) 노이즈 쉴드링은 반도체 장치가 외부 전자기 간섭(EMI)으로부터 보호받을 수 있도록 하는 중요한 부분입니다. 노이즈는 전자 기기의 성능과 안정성에 부정적인 영향을 미칠 수 있습니다. 이러한 노이즈는 주로 외부 전자기파, 전력 공급의 불안정성, 그리고 다른 전자 기기로부터의 간섭으로 인해 발생합니다. 문제점 전자기 간섭은 전자 장치가 제대로 작동하지 못하게 만들 수 있는 강력한 방해 요소입니다. 이러한 간섭은 데이터 전송 오류, 성능 저하, 심지어 장치의 셧다운를 초래할 수 있습니다. 따라서, 반도체 노이즈 쉴드링은 장치가 안정적으로 작동하도록 보장하며, 휴대폰부터 컴퓨터, 자동차 및 의료 장비에 이르기까지 모든 전자 장치의 성능과 신뢰성을 보장하는 데 필수적입니다. 노이즈 쉴드링의 역할 노이즈 쉴드링은 .. 2024. 3. 11. 반도체 DRAM Data 쓰고 읽기 이해 메모리 반도체 중 RAM(Random Access Memory)은 휘발성 메모리로, 전원이 꺼지면 data가 손실되기 때문에 휘발성 메모리라고 하며, 전원이 꺼져도 손실되지 않고 계속 유지는 비휘발성 메모리는 ROM(Read Only Memory)이라고 합니다. DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 RAM의 한 종류로 컴퓨터 메모리 시스템에서 널리 사용되는 주 메모리 유형 중 하나입니다. 주요 장점 저렴한 비용의 장점입니다. 비용 효율적인 메모리 유형 중 하나로, 대부분의 컴퓨터 시스템에서 사용됩니다. 이는 대용량의 메모리를 상대적으로 저렴한 가격에 확보할 수 있게 해 줍니다. 고밀도 및 대용량 저장 가능의 장점입니다. 작은 실리콘 칩에 많은 데이터를 저장할 수 있는 고밀도 메.. 2024. 3. 10. 반도체 커패시터의 유전체 커패시터는 두 개의 금속판 사이에 전기장을 발생시키는 장치로, 전기를 축적하거나 방출하는 역할을 합니다. 커패시터의 두 금속판 사이에는 공기 또는 다른 물질이 채워져 있는데, 이 물질을 유전체라고 합니다. 유전체는 외부에서 가해진 전기장을 약화시키는 특성을 가지고 있습니다. 이 특성을 유전율이라고 하며, 유전율이 높은 물질일수록 커패시터의 용량이 커집니다. 즉, 커패시터의 용량은 유전체의 종류와 두께에 영향을 받습니다. 커패시터 용도 반도체 커패시터는 주로 DRAM이나 NAND 플래시 메모리와 같은 메모리 소자에 사용됩니다. 메모리 소자는 데이터를 비트 단위로 저장하고 읽어오는 기능을 수행하는데, 커패시터는 비트의 값에 따라 전하를 충전하거나 방출하는 방식으로 데이터를 저장합니다. DRAM의 경우 커패시.. 2024. 3. 9. 반도체의 정전 용량 이해 정전용량(Capacitance)은 전기통신, 전력 전자 기기, 반도체 등 다양한 분야에서 중요한 역할을 하는 개념입니다. 정전용량은 전하를 저장하는 능력을 나타내는 물리량입니다. 즉, 특정 전압을 가했을 때 얼마나 많은 전하가 쌓이는지를 나타냅니다. 단위는 패럿(F)이고, 기호는 C로 표시합니다. 이는 디지털 신호 처리, 데이터 저장, 전력 소비 등 다양한 기술 영역에서 결정적인 역할을 합니다. 개념 정전용량은 전기적으로 축적된 에너지를 저장하는 데 사용되는 물리적인 속성입니다. 공식은 C = ε x (A / d)로 C는 정전용량, ε는 유전율, A는 유전체의 면적, d는 유전체의 두께. ε 유전율이 클수록 Capacitance도 커집니다. (유전율은 전기장을 가했을 때 전하를 얼마나 잘 끌어당기는지를 .. 2024. 3. 8. 이전 1 ··· 6 7 8 9 10 11 12 ··· 22 다음
